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  삼성 파운드리 포럼 2024 개최 : 신규 2/4나노 공정과 차별화 전략 소개 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 6월 12일(현지시간 기준) 삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)을 개최했습니다.  이번 삼성 파운드리 포럼 2024는 미국 실리콘밸리 새너제이에 위치한 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 사옥에서 개최됐으며, 삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장이 기조 연설을 하고 르네 하스(Rene Haas) Arm CEO와 조나단 로스(Jonathan Ross) Groq CEO 등 업계 주요 전문가들이 참석했습니다.  삼성전자 파운드리, 새로운 SF2Z, SF4U 공정 공개  삼성전자는 기존 파운드리 공정 로드맵에 더하여 새로운 SF2Z, SF4U 공정을 공개했습니다. SF2Z : 2027년 예정SF2Z는 BSPDN(후면전력공급 기술, Bac.. #CPU#GPU#RAM 2024. 6. 13.

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  HBM3E 메모리 세계 최초로 양산하는 SK하이닉스 우리나라 반도체 부문에서 삼성전자에 이어 만년 2등이었던 SK하이닉스의 약진이 눈부십니다. SK하이닉스가 AI용 고성능 메모리로 각광받고 있는 HBM3E를 세계 최초로 양산, 3월 말부터 제품 공급을 시작합니다. HBM(High Bandwidth Memory) 메모리는 여러 개의 D램을 수직으로 연결, 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발된 바 있습니다. SK하이닉스의 HBM3E 메모리는 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성되는 AI 분야에서 특히 각광받고 있습니다. .. #주변기기/#메모리#저장장치#보안 2024. 3. 19.

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  36GB HBM3E 12H D램 업계 최초로 개발한 삼성전자 삼성전자가 36GB 용량의 HBM3E 12H D램을 업계 최초로 개발했습니다. 이번에 개발한 36GB HBM3E 12H D램은 24Gb D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via; 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층한 제품으로, 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했습니다. 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 제품 대비 50% 이상 개선된 HBM3E 12H는 Advanced TC NCF(Thermal Compression Non Conductive Film; 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현, HBM 패키지 규격을 만족시켰.. #주변기기/#메모리#저장장치#보안 2024. 2. 27.