삼성전자가 36GB 용량의 HBM3E 12H D램을 업계 최초로 개발했습니다.
이번에 개발한 36GB HBM3E 12H D램은 24Gb D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via; 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층한 제품으로, 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했습니다.
초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 제품 대비 50% 이상 개선된 HBM3E 12H는 Advanced TC NCF(Thermal Compression Non Conductive Film; 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현, HBM 패키지 규격을 만족시켰습니다.
참고로 Advanced TC NCF 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 휘어짐 현상을 최소화 할 수 있어 고단 적층 확장에 유리합니다. 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 줄임으로써 업계 최소 칩간 간격인 7마이크로미터(um)를 구현했으며 이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현할 수 있었습니다.
칩과 칩 사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프(Bump; 칩 사이를 전기적으로 연결하기 위해 형성한 전도성 돌기)를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용함으로써 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했습니다.
삼성전자는 NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하면서 동시에 공극(Void)없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력도 선보였습니다.
만약 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 HBM3 8H를 탑재할 때 보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도 향상이 가능하며, 추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대하고 있습니다.
삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산 예정입니다.
(출처 : 삼성전자)
한때 메모리의 절대 강자라고 불리웠던 삼성전자지만 요즘은 그 호칭에서 '절대'가 빠진 느낌이지요. 특히 SK하이닉스나 마이크론의 기세가 거세며, 몇몇 분야는 따라잡히기까지 한 상황입니다. 여러가지 측면에서 삼성전자에게 혁신이 필요한 상황인데, 과연 어떨지요.
참고로 마이크론은 HBM3E 메모리 양산이 시작되었음을 발표한 상황이며, 그동안 HBM 분야의 선두였던 SK하이닉스도 마이크론을 추격 중입니다.
