HBM3E 메모리 세계 최초로 양산하는 SK하이닉스

우리나라 반도체 부문에서 삼성전자에 이어 만년 2등이었던 SK하이닉스의 약진이 눈부십니다.

 

SK하이닉스가 AI용 고성능 메모리로 각광받고 있는 HBM3E를 세계 최초로 양산, 3월 말부터 제품 공급을 시작합니다.

HBM(High Bandwidth Memory) 메모리는 여러 개의 D램을 수직으로 연결, 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발된 바 있습니다.

 

SK하이닉스의 HBM3E 메모리는 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며 수많은 AI 프로세서와 메모리를 다중 연결(Multi-connection)하는 식으로 반도체 패키지가 구성되는 AI 분야에서 특히 각광받고 있습니다.

특히 빠른 처리속도로 인한 발열 제어가 중요한데, SK하이닉스는 HBM3E 메모리에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF* 공정을 적용하여 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시킨 바 있습니다.

 

참고로 SK하이닉스의 HBM3E 양산 소식은 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과입니다.

 

* MR-MUF
반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정으로 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가를 받고 있습니다.
특히, SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 휨 현상 제어(Warpage control)도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 중요한 역할을 합니다.

 

 

(출처 : SK하이닉스)

 

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