HBM3E 12H1

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  36GB HBM3E 12H D램 업계 최초로 개발한 삼성전자 삼성전자가 36GB 용량의 HBM3E 12H D램을 업계 최초로 개발했습니다. 이번에 개발한 36GB HBM3E 12H D램은 24Gb D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via; 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층한 제품으로, 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했습니다. 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 제품 대비 50% 이상 개선된 HBM3E 12H는 Advanced TC NCF(Thermal Compression Non Conductive Film; 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현, HBM 패키지 규격을 만족시켰.. #주변기기/#메모리#저장장치#보안 2024. 2. 27.