V-NAND2

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  9세대 V낸드(NAND), 삼성전자가 업계 최초 생산 삼성전자가 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드 플래시 메모리를 업계 최초로 양산을 시작합니다. 9세대 V낸드는 차세대 낸드 플래시 인터페이스인 Toggle 5.1*을 적용, 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했으며 PCIe 5.0 인터페이스를 지원합니다. 저전력 설계 기술도 탑재, 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선되었습니다. 삼성전자의 1Tb TLC 9세대 V낸드는 업계 최소 크기의 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현, 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰으며 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)** 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였을 뿐만 아니라 셀의.. #주변기기/#메모리#저장장치#보안 2024. 4. 23.

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  업계 최초 초고속 SD 익스프레스 마이크로SD 카드 개발한 삼성전자 반도체의 강자 삼성전자가 새로운 마이크로SD 카드 2종, SD 익스프레스 규격의 256GB 마이크로SD 카드와 V낸드 기반 1TB 고용량 UHS-Ⅰ마이크로SD 카드를 개발했습니다. 업계 최초 SD 익스프레스 규격의 256GB 마이크로SD 카드 SD 익스프레스는 PCI익스프레스(PCIe) 스펙의 새로운 SD 메모리카드 용 인터페이스로 2019년 2월 발표된 SD 7.1 스펙 기준 985MB/s의 데이터 전송 속도를 제공합니다. 삼성전자가 업계 최초로 개발한 SD 익스프레스 인터페이스 기반의 256GB SD 익스프레스 마이크로SD 카드는 SD 익스프레스 7.1 규격을 기반으로 마이크로SD 카드 최고 연속 읽기 성능인 초당 800 메가바이트(800MB/s)와 256GB의 고용량을 제공해 업계 최고 수준의 성능.. #주변기기/#메모리#저장장치#보안 2024. 2. 29.