삼성전자, 고성능·저전력 32Gbps GDDR7 디램 업계 최초 개발

삼성전자하면 빼놓을 수 없는 메모리 반도체 부문에서 또 한가지 소식이 있습니다.

 

그래픽 카드에 주로 쓰이는 초고속 메모리인 GDDR(Graphics Double Data Rate) D램에서도 가장 첨단 제품인 32Gbps GDDR7 D램을 삼성전자가 업계 최초로 개발했다는 소식입니다.

 

 

삼성전자가 이번에 개발한 32Gbps GDDR7 D램은 고성능·저전력 특성을 갖춘 16Gb 제품으로, 기존 대비 성능은 1.4배, 전력 효율은 20% 향상됐습니다.

 

특히 기존 NRZ* 방식보다 동일 신호 주기에 1.5배 더 많은 데이터를 전송할 수 있는 기술인 PAM3** 신호 방식을 신규 적용, 데이터 입출력 핀 1개당 최대 32Gbps의 업계 최고 속도를 구현했습니다.

 

빨라진 전송속도 덕분에 32Gbps GDDR7 D램을 그래픽 카드에 탑재하면 최대 초당 1.5TB의 데이터를 처리할 수 있게 됩니다. 이는 기존 최대 1.1TB를 제공하는 GDDR6 대비 1.4배 향상된 성능이 되는 셈이죠.

 

이번에 개발한 GDDR7 디램에서는 전력 효율 또한 20% 개선했습니다. 특히 노트북 등 저전력 특성이 중요한 제품을 위해 초저전압을 지원하는 옵션도 제공합니다.

이 밖에도 열전도율이 높은 신소재를 EMC*** 패키지에 적용, 회로 설계를 최적화해 고속 동작으로 인한 발열을 최소화하여 기존 GDDR6 대비 열저항****이 약 70% 감소, 고속 동작에서도 안정적인 모습을 보입니다.

 

참고로 삼성전자는 작년에도 24Gbps GDDR6 D램을 업계 최초로 개발한 바 있습니다.

 

용어 설명 * NRZ(Non-Return-to-Zero) : '0'과 '1'로 신호 체계를 구분하여 1주기마다 1비트 데이터를 전송 ** PAM3(Pulse-Amplitude Modulation) : '-1'과 '0' 그리고 '1'로 신호 체계를 구분하여 1주기마다 1.5비트 데이터를 전송 *** EMC(Epoxy Molding Compound) : 수분, 열, 충격 등 다양한 외부환경으로부터 반도체 회로를 보호하는 회로 보호제 **** 열저항 : 와트당(W) 발생하는 온도의 변화

 

(출처 : 삼성전자)